Поле | Название | Значение |
|
Тип записи |
a |
|
Библиографический уровень |
b |
001 |
Контрольный номер |
ULGU/FULLTEXT/b7c4727f5dbc413e9773e0ce55bbb598 |
005 |
Дата корректировки |
20250122134636.0 |
008 |
Кодируемые данные |
250122s2025||||ru||||||||||||||||||rus|d |
040 |
Источник каталогиз. |
__ |
a |
Служба первич. каталог. |
НБ УлГУ |
b |
Код языка каталог. |
rus |
041 |
Код языка издания |
0_ |
a |
Код языка текста |
rus |
h |
Код языка оригинала |
rus |
084 |
Индекс другой классификации/Индекс ББК |
__ |
a |
Индекс другой классификации/Индекс ББК |
22.37 |
100 |
Автор |
1_ |
a |
Автор |
Шибалов, М. В. |
u |
Дополнение |
Институт нанотехнологий микроэлектроники РАН (Москва) |
4 |
Код отношения |
070 |
245 |
Заглавие |
10 |
a |
Заглавие |
Исследование неоднородности свойств тонких пленок нитрида ниобия, полученных методом атомно-слоевого осаждения |
336 |
Вид содержания |
__ |
a |
Термин вида содержания |
Текст |
337 |
Средство доступа |
__ |
a |
Термин типа средства |
непосредственный |
504 |
Библиография |
__ |
a |
Библиография |
Библиогр.: с. 89 (23 назв.) |
520 |
Аннотация |
0_ |
a |
Аннотация |
Изучена неоднородность свойств тонкой пленки нитрида ниобия, полученной методом атомно-слоевого осаждения, усиленного плазмой на 100 mm кремниевой подложке со слоем оксида кремния. |
650 |
Тематические рубрики |
14 |
a |
Основная рубрика |
Физика |
650 |
Тематические рубрики |
14 |
a |
Основная рубрика |
Физика твердого тела. Кристаллография в целом |
653 |
Ключевые слова |
1_ |
a |
Ключевые слова |
атомно-слоевое осаждение |
653 |
Ключевые слова |
1_ |
a |
Ключевые слова |
нитрид ниобия |
653 |
Ключевые слова |
1_ |
a |
Ключевые слова |
тонкие пленки |
653 |
Ключевые слова |
1_ |
a |
Ключевые слова |
неоднородность |
653 |
Ключевые слова |
1_ |
a |
Ключевые слова |
плазма |
653 |
Ключевые слова |
1_ |
a |
Ключевые слова |
кремниевые подложки |
653 |
Ключевые слова |
1_ |
a |
Ключевые слова |
оксид кремния |
700 |
Другие авторы |
12 |
a |
Другие авторы |
Шибалова, А. А. |
u |
Дополнение |
Институт нанотехнологий микроэлектроники РАН (Москва) |
4 |
Код отношения |
070 |
700 |
Другие авторы |
12 |
a |
Другие авторы |
Шевченко, А. Р. |
u |
Дополнение |
Институт нанотехнологий микроэлектроники РАН (Москва) |
4 |
Код отношения |
070 |
700 |
Другие авторы |
12 |
a |
Другие авторы |
Мумляков, А. М. |
u |
Дополнение |
Институт нанотехнологий микроэлектроники РАН (Москва) |
4 |
Код отношения |
070 |
700 |
Другие авторы |
12 |
a |
Другие авторы |
Филиппов, И. А. |
u |
Дополнение |
Институт нанотехнологий микроэлектроники РАН (Москва) |
4 |
Код отношения |
070 |
700 |
Другие авторы |
12 |
a |
Другие авторы |
Тархов, М. А. |
u |
Дополнение |
Национальный исследовательский университет "Московский энергетический институт" |
4 |
Код отношения |
070 |
773 |
Источник информации |
18 |
w |
Контрольный № источника |
ULGU/FULLTEXT/2515a3c301be4324ba5c5340aea57a5a |
t |
Название источника |
Журнал технической физики |
d |
Место и дата издания |
2025 |
g |
Прочая информация |
№ 1. - С. 84-89 |
x |
ISSN |
0044-4642 |
856 |
Электронный адрес документа |
40 |
u |
URL |
https://journals.ioffe.ru/articles/59463 |
901 |
Тип документа |
__ |
t |
Тип документа |
b |
911 |
Журнальная рубрика |
__ |
a |
Журнальная рубрика |
Физическое материаловедение |