| Поле | Название | Значение |
| |
Тип записи |
a |
| |
Библиографический уровень |
b |
| 001 |
Контрольный номер |
ULGU/FULLTEXT/b084d10166dd49878f27c9f40f4ec0bd |
| 005 |
Дата корректировки |
20240828134144.7 |
| 008 |
Кодируемые данные |
240826s2024||||ru||||||||||||||||||rus|d |
| 040 |
Источник каталогиз. |
__ |
| a |
Служба первич. каталог. |
НБ УлГУ |
| b |
Код языка каталог. |
rus |
| 041 |
Код языка издания |
0_ |
| a |
Код языка текста |
rus |
| h |
Код языка оригинала |
rus |
| 084 |
Индекс другой классификации/Индекс ББК |
__ |
| a |
Индекс другой классификации/Индекс ББК |
22.3с |
| 100 |
Автор |
1_ |
| a |
Автор |
Иванов, А. И. |
| u |
Дополнение |
Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения РАН (Новосибирск) |
| 4 |
Код отношения |
070 |
| 245 |
Заглавие |
10 |
| a |
Заглавие |
Гибкие мемристоры, созданные 2D-печатью из материалов на основе графена |
| 336 |
Вид содержания |
__ |
| a |
Термин вида содержания |
Текст |
| 337 |
Средство доступа |
__ |
| a |
Термин типа средства |
непосредственный |
| 504 |
Библиография |
__ |
| a |
Библиография |
Библиогр.: с. 1415-1416 (16 назв.) |
| 520 |
Аннотация |
0_ |
| a |
Аннотация |
Мемристорные структуры с кроссбар архитектурой были напечатаны на 2D-струйном принтере. Активный слой мемристора сформирован из наночастиц V[2]O[5], капсулированных фторированным графеном. Для изготовления контактов использована суспензия на основе частиц графена. |
| 650 |
Тематические рубрики |
14 |
| a |
Основная рубрика |
Физика |
| 650 |
Тематические рубрики |
14 |
| a |
Основная рубрика |
Физические приборы и методы физического эксперимента |
| 653 |
Ключевые слова |
1_ |
| a |
Ключевые слова |
мемристоры |
| 653 |
Ключевые слова |
1_ |
| a |
Ключевые слова |
2D-печать |
| 653 |
Ключевые слова |
1_ |
| a |
Ключевые слова |
графен |
| 653 |
Ключевые слова |
1_ |
| a |
Ключевые слова |
кроссбар структуры |
| 653 |
Ключевые слова |
1_ |
| a |
Ключевые слова |
2D-струйный принтер |
| 653 |
Ключевые слова |
1_ |
| a |
Ключевые слова |
наночастицы |
| 653 |
Ключевые слова |
1_ |
| a |
Ключевые слова |
V[2]O[5] |
| 653 |
Ключевые слова |
1_ |
| a |
Ключевые слова |
фторированный графен |
| 653 |
Ключевые слова |
1_ |
| a |
Ключевые слова |
суспензии |
| 700 |
Другие авторы |
12 |
| a |
Другие авторы |
Соотс, Р. А. |
| u |
Дополнение |
Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения РАН (Новосибирск) |
| 4 |
Код отношения |
070 |
| 700 |
Другие авторы |
12 |
| a |
Другие авторы |
Пулик, А. Д. |
| u |
Дополнение |
Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения РАН (Новосибирск) |
| 4 |
Код отношения |
070 |
| 700 |
Другие авторы |
12 |
| a |
Другие авторы |
Антонова, И. В. |
| u |
Дополнение |
Новосибирский государственный технический университет |
| 4 |
Код отношения |
070 |
| 773 |
Источник информации |
18 |
| w |
Контрольный № источника |
ULGU/FULLTEXT/ea8881dbf7334722a64fa87cc0b917c4 |
| t |
Название источника |
Журнал технической физики |
| d |
Место и дата издания |
2024 |
| g |
Прочая информация |
№ 8. - С. 1410-1416 |
| x |
ISSN |
0044-4642 |
| 856 |
Электронный адрес документа |
40 |
| u |
URL |
https://journals.ioffe.ru/articles/58570 |
| 901 |
Тип документа |
__ |
| t |
Тип документа |
b |
| 911 |
Журнальная рубрика |
__ |
| a |
Журнальная рубрика |
Физические приборы и методы эксперимента |