| Поле | Название | Значение |
| |
Тип записи |
a |
| |
Библиографический уровень |
b |
| 001 |
Контрольный номер |
ULGU/FULLTEXT/d07eb3ed44c94e82a504dcebc2f29304 |
| 005 |
Дата корректировки |
20240826155508.1 |
| 008 |
Кодируемые данные |
240826s2024||||ru||||||||||||||||||rus|d |
| 040 |
Источник каталогиз. |
__ |
| a |
Служба первич. каталог. |
НБ УлГУ |
| b |
Код языка каталог. |
rus |
| 041 |
Код языка издания |
0_ |
| a |
Код языка текста |
rus |
| h |
Код языка оригинала |
rus |
| 084 |
Индекс другой классификации/Индекс ББК |
__ |
| a |
Индекс другой классификации/Индекс ББК |
22.37 |
| 100 |
Автор |
1_ |
| a |
Автор |
Цуканов, Д. А. |
| u |
Дополнение |
Дальневосточный федеральный университет (Владивосток) |
| 4 |
Код отношения |
070 |
| 245 |
Заглавие |
10 |
| a |
Заглавие |
Исследование электрического сопротивления пленок галлия на реконструированной поверхности Si(111) |
| 336 |
Вид содержания |
__ |
| a |
Термин вида содержания |
Текст |
| 337 |
Средство доступа |
__ |
| a |
Термин типа средства |
непосредственный |
| 500 |
Примечания |
__ |
| a |
Примечание |
Материалы XXVIII-го Международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника" (Нижний Новгород, 11-15 марта 2024 г.) |
| 504 |
Библиография |
__ |
| a |
Библиография |
Библиогр.: с. 1248-1249 (38 назв.) |
| 520 |
Аннотация |
0_ |
| a |
Аннотация |
Представлены результаты исследования кристаллической структуры и электрического сопротивления подложек кремния Si(111) после осаждения галлия на предварительно сформированные поверхностные реконструкции в системах Ga/Si(111), Tl/Si(111), Au/Si(111). |
| 650 |
Тематические рубрики |
14 |
| a |
Основная рубрика |
Физика |
| 650 |
Тематические рубрики |
14 |
| a |
Основная рубрика |
Физика твердого тела. Кристаллография в целом |
| 653 |
Ключевые слова |
1_ |
| a |
Ключевые слова |
симпозиумы |
| 653 |
Ключевые слова |
1_ |
| a |
Ключевые слова |
галлий |
| 653 |
Ключевые слова |
1_ |
| a |
Ключевые слова |
кремний |
| 653 |
Ключевые слова |
1_ |
| a |
Ключевые слова |
электрическое сопротивление |
| 653 |
Ключевые слова |
1_ |
| a |
Ключевые слова |
сверхтонкие пленки |
| 653 |
Ключевые слова |
1_ |
| a |
Ключевые слова |
осаждение галлия |
| 653 |
Ключевые слова |
1_ |
| a |
Ключевые слова |
поверхностные реконструкции |
| 653 |
Ключевые слова |
1_ |
| a |
Ключевые слова |
кристаллическая структура |
| 653 |
Ключевые слова |
1_ |
| a |
Ключевые слова |
Si(111) |
| 653 |
Ключевые слова |
1_ |
| a |
Ключевые слова |
Ga/Si(111) |
| 653 |
Ключевые слова |
1_ |
| a |
Ключевые слова |
Tl/Si(111) |
| 653 |
Ключевые слова |
1_ |
| a |
Ключевые слова |
Au/Si(111) |
| 653 |
Ключевые слова |
1_ |
| a |
Ключевые слова |
подложки кремния |
| 700 |
Другие авторы |
12 |
| a |
Другие авторы |
Рыжкова, М. В. |
| u |
Дополнение |
Институт автоматики и процессов управления ДВО РАН (Владивосток) |
| 4 |
Код отношения |
070 |
| 773 |
Источник информации |
18 |
| w |
Контрольный № источника |
ULGU/FULLTEXT/ea8881dbf7334722a64fa87cc0b917c4 |
| t |
Название источника |
Журнал технической физики |
| d |
Место и дата издания |
2024 |
| g |
Прочая информация |
№ 8. - С. 1240-1249 |
| x |
ISSN |
0044-4642 |
| 856 |
Электронный адрес документа |
40 |
| u |
URL |
https://journals.ioffe.ru/articles/58551 |
| 901 |
Тип документа |
__ |
| t |
Тип документа |
b |
| 911 |
Журнальная рубрика |
__ |
| a |
Журнальная рубрика |
Физическая электроника |