Поле | Название | Значение |
|
Тип записи |
a |
|
Библиографический уровень |
b |
001 |
Контрольный номер |
ULGU/FULLTEXT/97752f40b7b54a739517ee75b8add85c |
005 |
Дата корректировки |
20240614112911.6 |
008 |
Кодируемые данные |
240614s2024||||ru |||||||||||||||||rus|d |
040 |
Источник каталогиз. |
__ |
a |
Служба первич. каталог. |
НБ УлГУ |
b |
Код языка каталог. |
rus |
041 |
Код языка издания |
0_ |
a |
Код языка текста |
rus |
h |
Код языка оригинала |
rus |
084 |
Индекс другой классификации/Индекс ББК |
__ |
a |
Индекс другой классификации/Индекс ББК |
22.3с |
100 |
Автор |
1_ |
a |
Автор |
Ларионов, Ю. В. |
u |
Дополнение |
Институт общей физики им. А. М. Прохорова РАН (Москва) |
4 |
Код отношения |
070 |
245 |
Заглавие |
10 |
a |
Заглавие |
Роль вторичных электронов из участков наноканавки в ее РЭМ изображении |
336 |
Вид содержания |
__ |
a |
Термин вида содержания |
Текст |
337 |
Средство доступа |
__ |
a |
Термин типа средства |
непосредственный |
504 |
Библиография |
__ |
a |
Библиография |
Библиогр.: с. 943 (12 назв.) |
520 |
Аннотация |
0_ |
a |
Аннотация |
Особенности рассеяния вторичных электронов в наноканавках были выявлены экспериментально по итогам их сканирования в низковольтном растровом электроном микроскопе. Значимая роль в генерации потока медленных вторичных электронов (МВЭ), создающих изображение в микроскопе, принадлежит вторичным электронам, рассеиваемым одними участками поверхности наноканавки к другим участкам. |
650 |
Тематические рубрики |
14 |
a |
Основная рубрика |
Физика |
650 |
Тематические рубрики |
14 |
a |
Основная рубрика |
Физические приборы и методы физического эксперимента |
653 |
Ключевые слова |
1_ |
a |
Ключевые слова |
вторичные электроны |
653 |
Ключевые слова |
1_ |
a |
Ключевые слова |
наноканавки |
653 |
Ключевые слова |
1_ |
a |
Ключевые слова |
РЭМ изображение |
653 |
Ключевые слова |
1_ |
a |
Ключевые слова |
растровые электронные микроскопы |
653 |
Ключевые слова |
1_ |
a |
Ключевые слова |
медленные вторичные электроны |
653 |
Ключевые слова |
1_ |
a |
Ключевые слова |
МВЭ |
653 |
Ключевые слова |
1_ |
a |
Ключевые слова |
нанометрология |
653 |
Ключевые слова |
1_ |
a |
Ключевые слова |
рассеивание электронов |
653 |
Ключевые слова |
1_ |
a |
Ключевые слова |
участки поверхностей |
700 |
Другие авторы |
12 |
a |
Другие авторы |
Озерин, Ю. В. |
u |
Дополнение |
Институт общей физики им. А. М. Прохорова РАН (Москва) |
4 |
Код отношения |
070 |
773 |
Источник информации |
18 |
w |
Контрольный № источника |
ULGU/FULLTEXT/220c021dc3324815b68a628cda8c1f5e |
t |
Название источника |
Журнал технической физики |
d |
Место и дата издания |
2024 |
g |
Прочая информация |
№ 6. - С. 934-943 |
x |
ISSN |
0044-4642 |
856 |
Электронный адрес документа |
40 |
u |
URL |
https://journals.ioffe.ru/articles/58134 |
901 |
Тип документа |
__ |
t |
Тип документа |
b |
911 |
Журнальная рубрика |
__ |
a |
Журнальная рубрика |
Физическая электроника |