| Поле | Название | Значение |
| |
Тип записи |
a |
| |
Библиографический уровень |
b |
| 001 |
Контрольный номер |
ULGU/FULLTEXT/238dd24cf5a7410989ef7b1c661e54d7 |
| 005 |
Дата корректировки |
20240613103316.6 |
| 008 |
Кодируемые данные |
240611s2024||||ru |||||||||||||||||rus|d |
| 040 |
Источник каталогиз. |
__ |
| a |
Служба первич. каталог. |
НБ УлГУ |
| b |
Код языка каталог. |
rus |
| 041 |
Код языка издания |
0_ |
| a |
Код языка текста |
rus |
| h |
Код языка оригинала |
rus |
| 084 |
Индекс другой классификации/Индекс ББК |
__ |
| a |
Индекс другой классификации/Индекс ББК |
22.379 |
| 100 |
Автор |
1_ |
| a |
Автор |
Королев, С. А. |
| u |
Дополнение |
Институт физики микроструктур РАН (Нижний Новгород) |
| 4 |
Код отношения |
070 |
| 245 |
Заглавие |
10 |
| a |
Заглавие |
Анализ и сопоставление характеристик неохлаждаемых диодных детекторов миллиметрового диапазона в рамках обобщенной теоретической модели |
| 336 |
Вид содержания |
__ |
| a |
Термин вида содержания |
Текст |
| 337 |
Средство доступа |
__ |
| a |
Термин типа средства |
непосредственный |
| 504 |
Библиография |
__ |
| a |
Библиография |
Библиогр.: с. 887 (18 назв.) |
| 520 |
Аннотация |
0_ |
| a |
Аннотация |
В рамках обобщенной теоретической модели неохлаждаемых диодных детекторов миллиметрового диапазона проведен анализ и сопоставление их достижимых характеристик. В основе подхода лежит туннельная модель токопереноса. Рассмотрена одномерная структура, состоящая из полупроводникового/диэлектрического барьерного слоя, расположенного между двумя электродами. Рассеяние носителей заряда в барьерном слое предполагается несущественным. |
| 650 |
Тематические рубрики |
14 |
| a |
Основная рубрика |
Физика |
| 650 |
Тематические рубрики |
14 |
| a |
Основная рубрика |
Физика полупроводников и диэлектриков |
| 653 |
Ключевые слова |
1_ |
| a |
Ключевые слова |
диодные детекторы |
| 653 |
Ключевые слова |
1_ |
| a |
Ключевые слова |
миллиметровые волны |
| 653 |
Ключевые слова |
1_ |
| a |
Ключевые слова |
прямое детектирование |
| 653 |
Ключевые слова |
1_ |
| a |
Ключевые слова |
токоперенос |
| 653 |
Ключевые слова |
1_ |
| a |
Ключевые слова |
полупроводниковые структуры |
| 653 |
Ключевые слова |
1_ |
| a |
Ключевые слова |
барьерные слои |
| 653 |
Ключевые слова |
1_ |
| a |
Ключевые слова |
рассеяние носителей заряда |
| 773 |
Источник информации |
18 |
| w |
Контрольный № источника |
ULGU/FULLTEXT/220c021dc3324815b68a628cda8c1f5e |
| t |
Название источника |
Журнал технической физики |
| d |
Место и дата издания |
2024 |
| g |
Прочая информация |
№ 6. - С. 881-887 |
| x |
ISSN |
0044-4642 |
| 856 |
Электронный адрес документа |
40 |
| u |
URL |
https://journals.ioffe.ru/articles/58129 |
| 901 |
Тип документа |
__ |
| t |
Тип документа |
b |
| 911 |
Журнальная рубрика |
__ |
| a |
Журнальная рубрика |
Твердотельная электроника |