| Поле | Название | Значение |
| |
Тип записи |
a |
| |
Библиографический уровень |
b |
| 001 |
Контрольный номер |
ULGU/FULLTEXT/24da1393726c474ea59239adeddc1e33 |
| 005 |
Дата корректировки |
20240717133907.8 |
| 008 |
Кодируемые данные |
240610s2024||||ru |||||||||||||||||rus|d |
| 040 |
Источник каталогиз. |
__ |
| a |
Служба первич. каталог. |
НБ УлГУ |
| b |
Код языка каталог. |
rus |
| 041 |
Код языка издания |
0_ |
| a |
Код языка текста |
rus |
| h |
Код языка оригинала |
rus |
| 084 |
Индекс другой классификации/Индекс ББК |
__ |
| a |
Индекс другой классификации/Индекс ББК |
22.311 |
| 100 |
Автор |
1_ |
| a |
Автор |
Поклонский, Н. А. |
| u |
Дополнение |
Белорусский государственный университет (Минск) |
| 4 |
Код отношения |
070 |
| 245 |
Заглавие |
10 |
| a |
Заглавие |
Аналитическое описание прыжковой электропроводности компенсированных полупроводников и расчеты на примере p-Ge : Ga |
| 336 |
Вид содержания |
__ |
| a |
Термин вида содержания |
Текст |
| 337 |
Средство доступа |
__ |
| a |
Термин типа средства |
непосредственный |
| 504 |
Библиография |
__ |
| a |
Библиография |
Библиогр.: с. 847-848 (50 назв.) |
| 520 |
Аннотация |
0_ |
| a |
Аннотация |
Предложены аналитические выражения для префактора сигма[03] и энергии термической активации эпсилон[3]-электропроводности сигма* h=сигма[03]exp(-эпсилон_3/k BT) компенсированных полупроводников n- и р-типа на постоянном токе по водородоподобным примесям. Полученные формулы применимы для описания прыжковой миграции. |
| 650 |
Тематические рубрики |
14 |
| a |
Основная рубрика |
Физика |
| 650 |
Тематические рубрики |
14 |
| a |
Основная рубрика |
Математическая физика |
| 653 |
Ключевые слова |
1_ |
| a |
Ключевые слова |
компенсированные полупроводники |
| 653 |
Ключевые слова |
1_ |
| a |
Ключевые слова |
прыжковая электропроводность |
| 653 |
Ключевые слова |
1_ |
| a |
Ключевые слова |
кристаллы p-Ge : Ga |
| 653 |
Ключевые слова |
1_ |
| a |
Ключевые слова |
префактор |
| 653 |
Ключевые слова |
1_ |
| a |
Ключевые слова |
термическая активация |
| 653 |
Ключевые слова |
1_ |
| a |
Ключевые слова |
полупроводники n-типа |
| 653 |
Ключевые слова |
1_ |
| a |
Ключевые слова |
полупроводники р-типа |
| 653 |
Ключевые слова |
1_ |
| a |
Ключевые слова |
электропроводность |
| 653 |
Ключевые слова |
1_ |
| a |
Ключевые слова |
энергия термической активации |
| 653 |
Ключевые слова |
1_ |
| a |
Ключевые слова |
водородоподобные примеси |
| 653 |
Ключевые слова |
1_ |
| a |
Ключевые слова |
прыжковая миграция |
| 700 |
Другие авторы |
12 |
| a |
Другие авторы |
Аникеев, И. И. |
| u |
Дополнение |
Белорусский государственный университет (Минск) |
| 4 |
Код отношения |
070 |
| 700 |
Другие авторы |
12 |
| a |
Другие авторы |
Вырко, С. А. |
| u |
Дополнение |
Белорусский государственный университет (Минск) |
| 4 |
Код отношения |
070 |
| 700 |
Другие авторы |
12 |
| a |
Другие авторы |
Забродский, А. Г. |
| u |
Дополнение |
Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН (Санкт-Петербург) |
| 4 |
Код отношения |
070 |
| 773 |
Источник информации |
18 |
| w |
Контрольный № источника |
ULGU/FULLTEXT/220c021dc3324815b68a628cda8c1f5e |
| t |
Название источника |
Журнал технической физики |
| d |
Место и дата издания |
2024 |
| g |
Прочая информация |
№ 6. - С. 838-848 |
| x |
ISSN |
0044-4642 |
| 856 |
Электронный адрес документа |
40 |
| u |
URL |
https://journals.ioffe.ru/articles/58124 |
| 901 |
Тип документа |
__ |
| t |
Тип документа |
b |
| 911 |
Журнальная рубрика |
__ |
| a |
Журнальная рубрика |
Теоретическая и математическая физика |