Представление документа в формате MARC21

ПолеНазваниеЗначение
  Тип записи a
  Библиографический уровень b
001 Контрольный номер ULGU/FULLTEXT/cb19e532eb9544f790198997f45d3c0c
005 Дата корректировки 20240514093238.1
008 Кодируемые данные 240514s2024||||ru |||||||||||||||||rus|d
040 Источник каталогиз. __
a Служба первич. каталог. НБ УлГУ
b Код языка каталог. rus
041 Код языка издания 0_
a Код языка текста rus
h Код языка оригинала rus
084 Индекс другой классификации/Индекс ББК __
a Индекс другой классификации/Индекс ББК 22.373
100 Автор 1_
a Автор Путято, М. А.
u Дополнение Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН (Новосибирск)
4 Код отношения 070
245 Заглавие 10
a Заглавие Трехкаскадный InGaP/GaAs/Ge фотоэлектрический преобразователь с утоненной германиевой подложкой
336 Вид содержания __
a Термин вида содержания Текст
337 Средство доступа __
a Термин типа средства непосредственный
504 Библиография __
a Библиография Библиогр.: с. 793-794 (34 назв.)
520 Аннотация 0_
a Аннотация Обсуждены проблемы создания легких гибких InGaP/GaAs/Ge фотоэлектрических преобразователей с утоненной германиевой подложкой. Рассмотрены подходы к их решению.
650 Тематические рубрики 14
a Основная рубрика Физика
650 Тематические рубрики 14
a Основная рубрика Электрические и магнитные свойства твердых тел
653 Ключевые слова 1_
a Ключевые слова фотоэлектрические преобразователи
653 Ключевые слова 1_
a Ключевые слова утоненные германиевые подложки
653 Ключевые слова 1_
a Ключевые слова InGaP/GaAs/Ge
653 Ключевые слова 1_
a Ключевые слова космические солнечные элементы
653 Ключевые слова 1_
a Ключевые слова массогабаритные характеристики
653 Ключевые слова 1_
a Ключевые слова солнечные элементы
700 Другие авторы 12
a Другие авторы Преображенский, В. В.
u Дополнение Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН (Новосибирск)
4 Код отношения 070
700 Другие авторы 12
a Другие авторы Семягин, Б. Р.
u Дополнение Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН (Новосибирск)
4 Код отношения 070
700 Другие авторы 12
a Другие авторы Протасевич, Н. В.
u Дополнение Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН (Новосибирск)
4 Код отношения 070
700 Другие авторы 12
a Другие авторы Чистохин, И. Б.
u Дополнение Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН (Новосибирск)
4 Код отношения 070
700 Другие авторы 12
a Другие авторы Петрушков, М. О.
u Дополнение Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН (Новосибирск)
4 Код отношения 070
700 Другие авторы 12
a Другие авторы Емельянов, Е. А.
u Дополнение Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН (Новосибирск)
4 Код отношения 070
700 Другие авторы 12
a Другие авторы Васев, А. В.
u Дополнение Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН (Новосибирск)
4 Код отношения 070
700 Другие авторы 12
a Другие авторы Скачков, А. Ф.
u Дополнение Акционерное общество "Сатурн" (Краснодар)
4 Код отношения 070
700 Другие авторы 12
a Другие авторы Олейник, В. В.
u Дополнение Акционерное общество "Сатурн" (Краснодар)
4 Код отношения 070
700 Другие авторы 12
a Другие авторы Янчур, С. В.
u Дополнение Государственный научный центр «Центр Келдыша» (Москва)
4 Код отношения 070
700 Другие авторы 12
a Другие авторы Дрондин, А. В.
u Дополнение Государственный научный центр «Центр Келдыша» (Москва)
4 Код отношения 070
773 Источник информации 18
w Контрольный № источника ULGU/FULLTEXT/5727fe8417f948ecaed8e778aa4c080d
t Название источника Журнал технической физики
d Место и дата издания 2024
g Прочая информация № 5. - С. 783-794
x ISSN 0044-4642
856 Электронный адрес документа 40
u URL https://journals.ioffe.ru/articles/57817
901 Тип документа __
t Тип документа b
911 Журнальная рубрика __
a Журнальная рубрика Твердотельная электроника