| Поле | Название | Значение |
| |
Тип записи |
a |
| |
Библиографический уровень |
m |
| 001 |
Контрольный номер |
RU/IPR SMART/136333 |
| 005 |
Дата корректировки |
20240502153802.4 |
| 008 |
Кодируемые данные |
240502s2023 RU y f j 000 1 rus u |
| 020 |
Индекс ISBN |
__ |
| a |
ISBN |
978-5-7609-1829-1 |
| 040 |
Источник каталогиз. |
__ |
| c |
Служба, преобразующая запись |
IPR SMART |
| 041 |
Код языка издания |
__ |
| a |
Код языка текста |
rus |
| 044 |
Код страны публикации |
__ |
| a |
Код страны публикации |
RU |
| 080 |
Индекс УДК |
__ |
| a |
Индекс УДК |
538.9 |
| 084 |
Индекс другой классификации/Индекс ББК |
__ |
| 2 |
Источник индекса |
rubbk |
| a |
Индекс другой классификации/Индекс ББК |
22.37 |
| 100 |
Автор |
__ |
| a |
Автор |
Каплунов, И. А. |
| 4 |
Код отношения |
070 |
| 245 |
Заглавие |
__ |
| a |
Заглавие |
Физические основы роста кристаллов. Ч.1 |
| b |
Продолж. заглавия |
учебное пособие |
| 250 |
Сведения об издании |
__ |
| g |
|
2029-02-08 |
| 256 |
Характеристики компьютерного файла |
__ |
| a |
Характеристики компьютерного файла |
Электрон. дан. (1 файл) |
| 260 |
Выходные данные |
__ |
| a |
Место издания |
Тверь |
| b |
Издательство |
Тверской государственный университет |
| c |
Дата издания |
2023 |
| 300 |
Физическое описание |
__ |
| a |
Объем |
83 с. |
| 500 |
Примечания |
__ |
| a |
Примечание |
Книга находится в премиум-версии IPR SMART. |
| 516 |
Прим. о типе комп. файла/ данных |
__ |
| a |
Прим. о типе комп. файла/ данных |
Текст |
| 520 |
Аннотация |
__ |
| a |
Аннотация |
Рассмотрены основные теоретические и практические вопросы роста кристаллов. Описаны структурные и фазовые особенности кристаллических материалов, рассмотрено влияние дефектов на свойства кристаллов, представлены методы управления структурой и свойствами материалов, физические и технологические аспекты процессов выращивания монокристаллов. Пособие предназначено для студентов бакалавриата и магистратуры направлений 03.03.03, 03.04.03 Радиофизика профиль «Физика и технология радиоэлектронных приборов и устройств», 03.03.02, 03.04.02 Физика профиль «Физика конденсированного состояния вещества», а также для аспирантов, специализирующихся в области физики конденсированного состояния вещества. |
| 521 |
Примеч. о цел. назн. |
__ |
| a |
Примеч. о целев. назн. |
Лицензия до 08.02.2029 |
| 538 |
Прим. о системных особенностях |
__ |
| a |
Прим. о системных особенностях |
электронный |
| 583 |
Примечание о действиях |
__ |
| u |
Унифиц. идентификатор ресурса |
URL: https://www.iprbookshop.ru/136333.html |
| 653 |
Ключевые слова |
__ |
| a |
Ключевые слова |
физические основы |
| 653 |
Ключевые слова |
__ |
| a |
Ключевые слова |
рост |
| 653 |
Ключевые слова |
__ |
| a |
Ключевые слова |
кристалл |
| 700 |
Другие авторы |
__ |
| a |
Другие авторы |
Иванова, А. И. |
| 4 |
Код отношения |
070 |
| 700 |
Другие авторы |
__ |
| a |
Другие авторы |
Третьяков, С. А. |
| 4 |
Код отношения |
070 |
| 856 |
Электронный адрес документа |
4_ |
| u |
URL |
https://www.iprbookshop.ru/136333.html |
| z |
Примечание для пользователя |
Перейти к просмотру издания |
| 911 |
Журнальная рубрика |
__ |
| u |
|
106a=s |
| 911 |
Журнальная рубрика |
__ |
| u |
|
503a=Доступна эл. версия. IPR SMART |