| Поле | Название | Значение |
| |
Тип записи |
a |
| |
Библиографический уровень |
b |
| 001 |
Контрольный номер |
ULGU/FULLTEXT/2c78a8ef34b64561a7400596b3f09eb5 |
| 005 |
Дата корректировки |
20240301102819.9 |
| 008 |
Кодируемые данные |
240212s2024||||ru||||||||||||||||||rus|d |
| 040 |
Источник каталогиз. |
__ |
| b |
Код языка каталог. |
rus |
| a |
Служба первич. каталог. |
НБ УлГУ |
| 041 |
Код языка издания |
0_ |
| a |
Код языка текста |
rus |
| h |
Код языка оригинала |
rus |
| 084 |
Индекс другой классификации/Индекс ББК |
__ |
| a |
Индекс другой классификации/Индекс ББК |
22.37 |
| 100 |
Автор |
1_ |
| a |
Автор |
Небогатикова, Н. А. |
| u |
Дополнение |
Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения РАН (Новосибирск) |
| 4 |
Код отношения |
070 |
| 245 |
Заглавие |
10 |
| a |
Заглавие |
Изменение сопротивления тонких пленок Bi[2]Se[3] и гетероструктур Bi[2]Se[3] на графене при растягивающих деформациях |
| 336 |
Вид содержания |
__ |
| a |
Термин вида содержания |
Текст |
| 337 |
Средство доступа |
__ |
| a |
Термин типа средства |
непосредственный |
| 504 |
Библиография |
__ |
| a |
Библиография |
Библиогр.: с. 266 (20 назв.) |
| 520 |
Аннотация |
0_ |
| a |
Аннотация |
Создание вертикальных гетероструктур Bi[2]Se[3] на графене, полученных методом физического осаждения из газовой фазы, приводит не только к более совершенной структуре и проводимости слоя Bi[2]Se[3], но и к улучшению механических свойств. Пленки Bi[2]Se[3] с толщиной 20-40 nm на CVD-графене слабо меняли свое сопротивление при растягивающих деформациях, создаваемых при изгибе структур. |
| 650 |
Тематические рубрики |
14 |
| a |
Основная рубрика |
Физика |
| 650 |
Тематические рубрики |
14 |
| a |
Основная рубрика |
Физика твердого тела. Кристаллография в целом |
| 653 |
Ключевые слова |
1_ |
| a |
Ключевые слова |
тонкие пленки |
| 653 |
Ключевые слова |
1_ |
| a |
Ключевые слова |
гетероструктуры |
| 653 |
Ключевые слова |
1_ |
| a |
Ключевые слова |
Bi[2]Se[3] |
| 653 |
Ключевые слова |
1_ |
| a |
Ключевые слова |
графен |
| 653 |
Ключевые слова |
1_ |
| a |
Ключевые слова |
осаждение |
| 653 |
Ключевые слова |
1_ |
| a |
Ключевые слова |
газовые фазы |
| 653 |
Ключевые слова |
1_ |
| a |
Ключевые слова |
изменение сопротивления |
| 653 |
Ключевые слова |
1_ |
| a |
Ключевые слова |
CVD-графен |
| 653 |
Ключевые слова |
1_ |
| a |
Ключевые слова |
растягивающие деформации |
| 700 |
Другие авторы |
12 |
| a |
Другие авторы |
Антонова, И. В. |
| u |
Дополнение |
Новосибирский государственный технический университет |
| 4 |
Код отношения |
070 |
| 700 |
Другие авторы |
12 |
| a |
Другие авторы |
Соотс, Р. А. |
| u |
Дополнение |
Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения РАН (Новосибирск) |
| 4 |
Код отношения |
070 |
| 700 |
Другие авторы |
12 |
| a |
Другие авторы |
Кох, К. А. |
| u |
Дополнение |
Институт геологии и минералогии им. С. Л. Соболева СО РАН (Новосибирск) |
| 4 |
Код отношения |
070 |
| 700 |
Другие авторы |
12 |
| a |
Другие авторы |
Климова, Е. С. |
| u |
Дополнение |
Институт геологии и минералогии им. С. Л. Соболева СО РАН (Новосибирск) |
| 4 |
Код отношения |
070 |
| 700 |
Другие авторы |
12 |
| a |
Другие авторы |
Володин, В. А. |
| u |
Дополнение |
Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения РАН (Новосибирск) |
| 4 |
Код отношения |
070 |
| 773 |
Источник информации |
18 |
| w |
Контрольный № источника |
ULGU/FULLTEXT/032c028f77a14f2493ea0eade100045c |
| t |
Название источника |
Журнал технической физики |
| d |
Место и дата издания |
2024 |
| g |
Прочая информация |
Т. 94, № 2. - С. 261-266 |
| x |
ISSN |
0044-4642 |
| 856 |
Электронный адрес документа |
40 |
| u |
URL |
https://journals.ioffe.ru/articles/57081 |
| 901 |
Тип документа |
__ |
| t |
Тип документа |
b |
| 911 |
Журнальная рубрика |
__ |
| a |
Журнальная рубрика |
Физика низкоразмерных структур |