| Поле | Название | Значение |
| |
Тип записи |
a |
| |
Библиографический уровень |
m |
| 001 |
Контрольный номер |
RU/ЭБС IPR BOOKS/93367 |
| 005 |
Дата корректировки |
20231012103605.0 |
| 008 |
Кодируемые данные |
210514s20 RU y f j 000 1 rus u |
| 020 |
Индекс ISBN |
__ |
| a |
ISBN |
978-5-94836-519-0 |
| 040 |
Источник каталогиз. |
__ |
| c |
Служба, преобразующая запись |
ЭБС IPR BOOKS |
| a |
Служба первич. каталог. |
ЭБС IPR BOOKS |
| 041 |
Код языка издания |
__ |
| a |
Код языка текста |
rus |
| 044 |
Код страны публикации |
__ |
| a |
Код страны публикации |
RU |
| 080 |
Индекс УДК |
__ |
| a |
Индекс УДК |
537.5 |
| 084 |
Индекс другой классификации/Индекс ББК |
__ |
| 2 |
Источник индекса |
rubbk |
| a |
Индекс другой классификации/Индекс ББК |
22.333 |
| 100 |
Автор |
1_ |
| a |
Автор |
Берлин, Е. В. |
| 4 |
Код отношения |
070 |
| 245 |
Заглавие |
__ |
| a |
Заглавие |
Индуктивные источники высокоплотной плазмы и их технологические применения |
| c |
Ответственность |
Е. В. Берлин, В. Ю. Григорьев, Л. А. Сейдман |
| 256 |
Характеристики компьютерного файла |
__ |
| a |
Характеристики компьютерного файла |
Электрон. дан. (1 файл) |
| 260 |
Выходные данные |
__ |
| a |
Место издания |
Москва |
| b |
Издательство |
Техносфера |
| c |
Дата издания |
2018 |
| 300 |
Физическое описание |
__ |
| a |
Объем |
464 с. |
| 500 |
Примечания |
__ |
| a |
Примечание |
Книга находится в премиум-версии ЭБС IPR BOOKS. |
| 516 |
Прим. о типе комп. файла/ данных |
__ |
| a |
Прим. о типе комп. файла/ данных |
Текст |
| 520 |
Аннотация |
__ |
| a |
Аннотация |
Тенденции развития современной технологии электронной техники заключаются в увеличении степени интеграции изделий на поверхности подложек, что связано как с увеличением диаметра применяемых в производстве подложек, так и с уменьшением геометрических размеров элементов изделий на их поверхности до 0,01-0,04 мкм. Для технологии изготовления изделий с микро и наноэлементами использование ВЧ разряда индуктивно связанной плазмы (ICP) как плазмообразующего источника предоставляет большие преимущества. В частности, с его помощью достигают высокую плотность плазмы (10??-10?? см??), минимальный разброс ионов по энергиям (?ei ? 5 эВ), относительно низкое рабочее давление (10??2?10?? Па) и низкую энергетическую цену иона (30?80) эВ/ион. Благодаря отсутствию накаливаемых узлов источник ICP обладает большим ресурсом работы с химически активными газами. Особенно важно, что он предоставляет возможность независимого управления энергией и плотностью потока ионов, поступающих на подложку. Успехи в конструировании источников ЮР для целей микроэлектроники побудили разработчиков оборудования применить их и в других отраслях, например в азотировании стальных деталей, обработке полимерных пленок и нанесении специальных покрытий методами PVD и PECVD. За последнее десятилетие источники ICP нашли широкое промышленное применение, о котором появилось большое количество новой информации. Поэтому назрела необходимость составления обзора, цель которого — систематизация основных экспериментальных результатов разработки и применения источников ICP. В книге приведено описание принципов действия, особенностей и преимуществ источников ICP и рассмотрены многочисленные варианты конструкций современных источников ICP Приведены также примеры технологических применений описываемых источников для нанесения тонких пленок: в процессах PVD и PECVD. И кроме того, описано формирование плазмохимическим травлением трехмерных структур в различных материалах и двумерных структур в тонких пленках и связанное с такой обработкой существенное изменение свойств поверхностей различных материалов, в особенности полупроводников. Таким образом, настоящая книга представляет собой подробное справочное руководство по конструкциям и применению источников ICP Книга рассчитана на студентов, аспирантов, конструкторов нового технологического оборудования, использующего источники ICP, и технологов, работающих на таком оборудовании. Конструкторы найдут в ней обзор способов достижения высоких параметров источников ICP, а технологи ознакомятся с широким спектром их применения и полученных с их помощью достижений. Она также будет полезна в качестве учебного пособия для студентов старших курсов и аспирантов соответствующих специализаций. |
| 521 |
Примеч. о цел. назн. |
__ |
| a |
Примеч. о целев. назн. |
Гарантированный срок размещения в ЭБС до 03.03.2025 (автопролонгация) |
| 538 |
Прим. о системных особенностях |
__ |
| a |
Прим. о системных особенностях |
электронный |
| 583 |
Примечание о действиях |
__ |
| u |
Унифиц. идентификатор ресурса |
URL: http://www.iprbookshop.ru/93367.html |
| z |
Открытое примечание |
Режим доступа: ЭБС IPR BOOKS; для авторизир. пользователей |
| 653 |
Ключевые слова |
__ |
| a |
Ключевые слова |
индуктивные источники |
| 653 |
Ключевые слова |
__ |
| a |
Ключевые слова |
высокоплотная плазма |
| 653 |
Ключевые слова |
__ |
| a |
Ключевые слова |
электрод |
| 653 |
Ключевые слова |
__ |
| a |
Ключевые слова |
плотность плазмы |
| 653 |
Ключевые слова |
__ |
| a |
Ключевые слова |
ионный ток |
| 700 |
Другие авторы |
1_ |
| a |
Другие авторы |
Григорьев, В. Ю. |
| 4 |
Код отношения |
070 |
| 700 |
Другие авторы |
1_ |
| a |
Другие авторы |
Сейдман, Л. А. |
| 4 |
Код отношения |
070 |
| 856 |
Электронный адрес документа |
4_ |
| u |
URL |
http://www.iprbookshop.ru/93367.html |
| z |
Примечание для пользователя |
Перейти к просмотру издания |