| Найдено документов - 1 | Источник: Моделирование и экспериментальное исследование AlGaAs/GaAs-структур для реализации ИК детекторов / А. С. Дашков, С. А. Хахулин, Н. А. Костромин [и др.]. - Текст : непосредственный // Журнал техн... | Версия для печати |
Сортировать по:
1. Номер журнала
| Журнал технической физики. № 4. - Москва, 2026. - URL: https://journals.ioffe.ru/issues/2640. | |
| Поиск: | Статьи из номера журнала (сборника) Источник |
| Ссылка на ресурс: | https://journals.ioffe.ru/issues/2640 |